5 st IRF540N MOSFET-transistor 100V 33A 130W TO220
Varumärke: satkit
Moms ingår (Exkl. moms: 15,75 kr)
Förpackningen med 5pcs IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 är ett set med N-kanals MOSFET-transistorer utformade för elektroniska tillämpningar som kräver hög effektivitet samt förmåga att hantera ström och spänning.
Huvudegenskaper:
- Kategori: N-Canal MOSFET
- Voltaje máximo: 100V
- Corriente máxima: 33A
- Resistencia interna (Rds(on)): 44mΩ
- Voltaje de la puerta: 20V
- Tiempo de conmutación: 35ns (ascenso y descenso)
- Disipación de potencia: 130W
- Encapsulado: TO-220
- Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
Typiska användningsområden:
- Styrning av elmotorer i DIY-projekt och professionella projekt.
- Effektförstärkare och switchade nätaggregat.
- Elektroniska brytare för laster med hög ström.
- Tillämpningar inom robotik och inbyggda system som kräver hög effektivitet.
Kompatibilitet: Denna transistor är kompatibel med kretsar som arbetar inom dess elektriska specifikationer, särskilt i projekt som kräver en N-kanals MOSFET med hög ström- och spänningskapacitet.
Detta paket med 5 enheter gör det möjligt att ha reservdelar eller implementera flera kretsar samtidigt, vilket ger tillförlitlig och långvarig prestanda tack vare TO-220-kapslingen som underlättar värmeavledning.
- Förpackning med 5 IRF540N N-kanals MOSFET-transistorer
- Maxspänning 100V för krävande applikationer
- Maxström 33A för höga laster
- Låg intern resistans på 44mΩ för effektivitet
- Effektdissipation på 130W för långvarig användning
- TO-220-kapsling för bättre värmeavledning
- Snabb omkopplingstid på 35ns
- Drifttemperatur från -55°C till 175°C
Kundfrågor & svar
Vilka installationsförsiktigheter behövs för att undvika skador från överhettning eller överström i IRF540N?
För att undvika skador är det viktigt att säkerställa korrekt värmeavledning med en lämplig kylfläns om förlusteffekten överstiger 2 W, samt att respektera gränserna: max 100 V drain-source, 33 A kontinuerligt och 130 W effekt. Undvik dessutom spänningsspikar över gate-spänningen på 20 V och skydda mot elektrostatiska urladdningar före installation.
Vilka typer av styrsignaler och logikkretsar är IRF540N-gaten kompatibel med?
IRF540N kräver vanligtvis en gate-spänning på minst 10 V för effektiv ledning, även om den kan börja aktiveras från 2–4 V (Vgs(th)). Den fungerar bra med MOSFET-drivare eller logikkretsar med anpassningssteg; det rekommenderas inte att ansluta den direkt till 3,3 V-mikrokontroller utan en mellanliggande driver.
Vilken typ av skydd eller säkerhetsstandarder bör installationen av dessa MOSFET:ar i industriella system uppfylla?
I industriella system bör installationen omfatta skydd mot överbelastning (säkringar eller automatsäkringar), transientdämpning (flyback-dioder eller varistorer) samt uppfylla standarder som IEC 60950 (elsäkerhet) och ESD (skydd mot elektrostatiska urladdningar) för att säkerställa säker drift och komponentens hållbarhet.
Vad används IRF540N MOSFET-transistorn till?
IRF540N är en N-kanals MOSFET-transistor som används för att styra elektriska laster med hög ström och spänning i elektroniska kretsar, som motorer, förstärkare och nätaggregat.
Hur många enheter ingår i detta paket?
Detta paket innehåller 5 enheter av IRF540N MOSFET-transistorn.
Vilken kapsling har IRF540N?
IRF540N levereras i TO-220-kapsling, vilket underlättar värmeavledning och montering i kretsar.
Vilken maxspänning och maxström klarar denna transistor?
Transistorn klarar en maxspänning på 100V och en maxström på 33A.
Är den lämplig för projekt som kräver hög effektdissipation?
Ja, denna transistor har en maximal effektdissipation på 130W, vilket är idealiskt för tillämpningar som kräver hög effektkapacitet.